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环境磁场对磁记忆检测信号的影响研究

3222    2019-12-17

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作者:陈海龙1,2, 崔子浩1, 吴   奇1, 熊湘曦1 , 何   洋1, 王长龙2

作者单位:1. 63850 部队,吉林 白城 137000; 2. 陆军工程大学(石家庄校区),河北 石家庄 050000


关键词:金属磁记忆; 环境磁场; 检测信号; 缺陷; 应力集中


摘要:

针对磁记忆检测中环境磁场对检测信号影响问题,首先详细分析试件放置方向变化时,不同类型损伤区域的磁场变化情况。然后根据磁记忆检测信号组成,研究环境磁场对磁记忆检测信号的影响机理。最后得出环境磁场对磁记忆检测信号的影响是环境磁场、被测试件自身磁化状态以及试件材料的磁特性共同作用的结果。当被测试件不同放置方向时,测得的磁场信号不是简单的幅值上整体漂移,整体形貌上也可能会发生一定变化。在工程检测过程中,被测试件的放置方向应尽量保持不变。